[发明专利]一种E-HEMT外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202310181011.3 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116259660A | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李京波;刘志远;王小周;韩理想 | 申请（专利权）人： | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 311421 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种E‑HEMT外延片，包括衬底以及依次堆叠在所述衬底上的U‑GaN缓冲层、P‑GaN层、U‑GaN沟道层、AlGaN势垒层以及栅介质层。本发明中P‑GaN层不是位于外延片的最顶层，而是位于AlGaN势垒层和U‑GaN沟道层之下，避免了由于P‑GaN刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏从而影响2DEG的问题，提升了可靠性与稳定性。同时还可以避免界面侧壁产生额外泄漏路径的可能，降低了栅极漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hemt 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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