[发明专利]一种E-HEMT外延片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310181011.3 申请日: 2023-02-22
公开(公告)号: CN116259660A 公开(公告)日: 2023-06-13
发明(设计)人: 李京波;刘志远;王小周;韩理想 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L21/335
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 万艳艳
地址: 311421 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 hemt 外延 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种E-HEMT外延片,其特征在于,包括衬底以及依次堆叠在所述衬底上的U-GaN缓冲层、P-GaN层、U-GaN沟道层、AlGaN势垒层以及栅介质层。

2.根据权利要求1所述的E-HEMT外延片,其特征在于,所述U-GaN缓冲层的厚度为3μm~8μm,载流子浓度为-2×1016cm-3至-8×1016cm-3

3.根据权利要求1所述的E-HEMT外延片,其特征在于,所述P-GaN层的厚度为0.5μm~2μm,载流子浓度为9×1017cm-3至3×1018cm-3

4.根据权利要求1所述的E-HEMT外延片,其特征在于,所述U-GaN沟道层的厚度为50nm~200nm,载流子浓度为-3×1016cm-3至-9×1016cm-3

5.根据权利要求1所述的E-HEMT外延片,其特征在于,所述AlGaN势垒层的厚度为20nm~28nm,Al的掺杂组分控制在20%~25%。

6.一种E-HEMT外延片的制备方法,其特征在于,包括:

准备衬底;

在所述衬底之上生长U-GaN,得到U-GaN缓冲层;

在所述U-GaN缓冲层之上淀积P-GaN,得到P-GaN层;

在所述P-GaN层之上生长U-GaN,得到U-GaN沟道层;

在所述U-GaN沟道层之上生长AlGaN,得到AlGaN势垒层;

在所述AlGaN势垒层之上生长栅介质,得到栅介质层;

对当前样品进行退火处理,得到制备完成的E-HEMT外延片。

7.根据权利要求6所述的E-HEMT外延片的制备方法,其特征在于,

生长所述U-GaN沟道层的温度范围控制在1050℃~1150℃或1100~1180,生长时间0.5min~2min;

生长所述AlGaN势垒层的温度范围控制在1000℃~1050℃,生长时间5min~8min。

8.根据权利要求7所述的E-HEMT外延片的制备方法,其特征在于,在生长所述AlGaN势垒层时,作为载气的氮气的气体流量控制在95slm~105slm,作为氮源的氨气的气体流量控制在10slm~20slm,Al的掺杂组分控制在20%~25%。

9.根据权利要求6所述的E-HEMT外延片的制备方法,其特征在于,在所述衬底之上生长U-GaN,得到U-GaN缓冲层,包括:

在530℃~560℃在的温度范围内,在所述衬底上生长GaN成核子层;

在1000℃~1080℃的温度范围内,使所述GaN成核子层进行退火重结晶;

在1050℃~1150℃或1100~1180的温度范围内,在退火重结晶后的GaN成核子层之上继续生长GaN,得到U-GaN缓冲层。

10.根据权利要求6所述的E-HEMT外延片的制备方法,其特征在于,生长所述P-GaN层的温度范围控制在900℃~980℃,生长时间100min~120min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江芯科半导体有限公司,未经浙江芯科半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310181011.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top