[发明专利]一种SiC封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 202310155376.9 | 申请日： | 2023-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN116013818B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 詹骐泽;林河北;阳小冬 | 申请（专利权）人： | 深圳市金誉半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/687;H01L21/56;H01L21/60;H01L21/52 |
| 代理公司： | 合肥铭辉知识产权代理事务所(普通合伙) 34212 | 代理人： | 徐昶 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC封装结构及封装方法，涉及电路封装领域，包括底板和侧板；该SiC封装结构及封装方法，通过焊接机构的设置可以对芯片进行焊接，通过定位机构的设置可以使得在焊接时，始终对芯片进行定位，防止芯片在焊接的过程中会产生移动，导致虚焊或者断焊的情况发生，通过定位机构的设置使得保护性气体不断进入保护气作用仓，此时进行焊接，由于保护气作用仓内压强增加，如果焊接点内存在气泡，由于焊接点外侧气压增大，气泡受到挤压进行排出，同时在两个限位环其中一个到达极限位置时，另一个可以在连接杆的作用下可以继续旋转，直至两个限位环均达到极限位置，此时多个夹板可以对芯片进行夹持，这样设置可以增加焊接时的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
