[发明专利]一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202310148412.9 | 申请日： | 2023-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN116053324A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 王金斌;张衡;钟向丽;吴祎玮;何家怡;谭丛兵;宋宏甲 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 李冉 |
| 地址： | 411105 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频铁电负电容场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明提供的高频负电容场效应晶体管，通过将具有快速铁电负电容效应的针状铁弹畴结构铁电薄膜作为栅介质层，结合特定的器件结构和工艺，克服了传统负电容场效应晶体管工作频率低、回滞大等问题。相比于同类器件而言，本发明产品具有运行速度快、回滞小和低功耗的突出优势，在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要的学术与应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高频 铁电负 电容 场效应 晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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