[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构

摘要

本申请提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括：提供衬底，衬底包括多个有源区、位于相邻两个有源区之间的隔离结构以及位于有源区上的绝缘层，其中，隔离结构的厚度与绝缘层的厚度不同；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一掩膜层；利用第一掩膜层对衬底进行离子注入处理，形成深阱区；去除第一掩膜层以及缓冲层；本申请通过在衬底上形成缓冲层，使得缓冲层同时覆盖隔离结构和绝缘层，可以消除隔离结构和绝缘层对光产生的反射差异，即消除了反射差异对曝光的影响，从而实现光刻工艺关键尺寸的均匀性控制，保证离子注入的均匀，提升了像素的满阱容量的均一性，减少了不规则噪声。