[发明专利]一种LGS压电晶体及其生长方法在审
| 申请号： | 202310122802.9 | 申请日： | 2023-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN116103763A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 | 申请（专利权）人： | 合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 合肥正则元起专利代理事务所(普通合伙) 34160 | 代理人： | 安朋 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种LGS压电晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，包括以下步骤：将包覆Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 lgs 压电 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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