[发明专利]红外探测器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202310103409.5 申请日: 2023-02-13
公开(公告)号: CN116154021A 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 黄勇 申请(专利权)人: 苏州晶歌半导体有限公司
主分类号: H01L31/036 分类号: H01L31/036;H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器包括:衬底以及依序层叠于所述衬底上的N型晶格渐变层、N型接触层、吸收层和P型接触层;所述N型晶格渐变层从所述衬底至所述N型接触层的方向顺序包括第一层N型晶格层至第M层N型晶格层,M大于等于2;第一层N型晶格层至第M层N型晶格层的晶格参数依序增大或者依序减小,且所述第一层N型晶格层的晶格参数与所述衬底的晶格参数相等,且所述第M层N型晶格层的晶格参数、所述N型接触层的晶格参数以及所述吸收层的晶格参数相等。本发明通过设置N型晶格渐变层,使衬底的晶格参数渐变到吸收层的晶格参数,从而减小衬底和吸收层之间的晶格失配,进而提高红外探测器的质量和性能。
搜索关键词: 红外探测器 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶歌半导体有限公司,未经苏州晶歌半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202310103409.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top