[发明专利]红外探测器及其制作方法在审
申请号: | 202310103409.5 | 申请日: | 2023-02-13 |
公开(公告)号: | CN116154021A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 黄勇 | 申请(专利权)人: | 苏州晶歌半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/036 | 分类号: | H01L31/036;H01L31/0304;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;武岑飞 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外探测器及其制作方法。所述红外探测器包括:衬底以及依序层叠于所述衬底上的N型晶格渐变层、N型接触层、吸收层和P型接触层;所述N型晶格渐变层从所述衬底至所述N型接触层的方向顺序包括第一层N型晶格层至第M层N型晶格层,M大于等于2;第一层N型晶格层至第M层N型晶格层的晶格参数依序增大或者依序减小,且所述第一层N型晶格层的晶格参数与所述衬底的晶格参数相等,且所述第M层N型晶格层的晶格参数、所述N型接触层的晶格参数以及所述吸收层的晶格参数相等。本发明通过设置N型晶格渐变层,使衬底的晶格参数渐变到吸收层的晶格参数,从而减小衬底和吸收层之间的晶格失配,进而提高红外探测器的质量和性能。 | ||
搜索关键词: | 红外探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的