[发明专利]太阳电池及其制备方法

摘要

本申请提供一种太阳电池及其制备方法，属于光伏技术领域。太阳电池包括：硅片基底层；位于硅片基底层的正面的硼掺杂硅层；位于硅片基底层的背面的依次设置的隧穿氧化层以及磷掺杂多晶碳化硅层。其中，磷掺杂多晶碳化硅层掺杂有氧原子。本申请提供的太阳电池有利于避免太阳电池中的多晶结构层发生爆膜现象，增强了太阳电池的钝化性能；也有利于提高多晶结构层的抗银浆腐蚀能力，有效减少太阳电池的背面的金属刺穿以及太阳电池中的金属复合，进而可有效提高太阳电池的光电转换效率、开路电压以及短路电流。