[发明专利]太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括：

硅片基底层；

位于所述硅片基底层的正面的硼掺杂硅层；

位于所述硅片基底层的背面的依次设置的隧穿氧化层以及磷掺杂多晶碳化硅层；

其中，所述磷掺杂多晶碳化硅层掺杂有氧原子。

2.根据权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述磷掺杂多晶碳化硅层的厚度为25-280nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的材质为氧化硅，所述隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm。

4.一种权利要求1-3中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

在所述硅片基底层的正面形成所述硼掺杂硅层；

在所述硅片基底层的背面形成所述隧穿氧化层；

在含有氧气的气氛下，在所述隧穿氧化层的表面依次形成本征非晶碳化硅层以及磷掺杂非晶碳化硅层；

退火，使得所述本征非晶碳化硅层和所述磷掺杂非晶碳化硅层共同转化为所述磷掺杂多晶碳化硅层。

5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述本征非晶碳化硅层的制备方法包括：在第一混合气的气氛中，采用气相沉积的方式在所述隧穿氧化层的表面形成所述本征非晶碳化硅层；

其中，所述第一混合气包括O₂、SiH₄、CH₄以及H₂。

6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一混合气中，O₂、SiH₄、CH₄以及H₂的体积比为1:(1-10):(0.3-2):(1-10)。

7.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述本征非晶碳化硅层的温度为350-450℃。

8.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述磷掺杂非晶碳化硅层的制备方法包括：在第二混合气的气氛中，采用气相沉积的方式在所述本征非晶碳化硅层的表面形成所述磷掺杂非晶碳化硅层；

其中，所述第二混合气包括O₂、SiH₄、CH₄、PH₃以及H₂；

可选地，所述第二混合气中，O₂、SiH₄、CH₄、PH₃以及H₂的体积比为1:(1-10):(0.3-2):(1-9):(1-10)。

9.根据权利要求8所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述磷掺杂非晶碳化硅层的温度为350-450℃。

10.根据权利要求4-9中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为600-1000℃，所述退火的时间为10-60min。