[发明专利]存储结构有效
| 申请号： | 202310089016.3 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116092549B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大;蒋新淼 | 申请（专利权）人： | 浙江力积存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4094 | 分类号： | G11C11/4094;G11C11/4091;G11C11/4096;G11C11/4093 |
| 代理公司： | 北京慧加伦知识产权代理有限公司 16035 | 代理人： | 李永敏;李志刚 |
| 地址： | 321000 浙江省金华市金东区孝顺镇正涵南街1*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开的实施例提供一种存储结构，其包括：存储阵列、读数据控制电路、写数据控制电路、数据输出缓存、数据输入缓存和写数据选择电路。读数据控制电路从存储阵列读取第一差分数据对，根据第一差分数据对来生成读取数据对。数据输出缓存存储读取数据对并向输入/输出端口输出读取数据对。数据输入缓存存储经由输入/输出端口输入的写入数据对。写数据选择电路在拷贝信号处于有效电平的情况下，将读取数据对提供给写数据控制电路，以及在拷贝信号处于无效电平的情况下，将写入数据对提供给写数据控制电路。写数据控制电路根据从写数据选择电路接收到的数据对来生成第二差分数据对，将第二差分数据对写入存储阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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