[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202310078219.2 | 申请日： | 2023-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN116110891A | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈敏腾 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/488;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 汤金燕 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成绝缘层与被所述绝缘层所分离的第一导电接触垫；在所述衬底上形成多个凸柱；在相邻的两个所述凸柱之间形成半导体结构，所述半导体结构与所述第一导电接触垫接触，所述半导体结构包括覆盖所述第一导电接触垫上表面及各个所述凸柱侧壁的第一U型导电层、位于所述第一U型导电层内部的第二U型导电层、设于所述第二U型导电层内的第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二导电接触垫。本申请能够抑制半导体器件中的漏电问题，提升半导体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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