[发明专利]晶圆结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202310072072.6 申请日: 2023-01-13
公开(公告)号: CN115954308A 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 刘君铭;邓宇;孙钧 申请(专利权)人: 上海积塔半导体有限公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L23/544;G03F7/20;G03F1/42;G03F9/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 赵娟娟
地址: 200123 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种晶圆结构及其制备方法。本发明通过在对应所述光栅对准标记处采取具有台阶边缘靠近光栅对准标记的第一台阶以及台阶边缘远离光栅对准标记的第二台阶的双台阶式PF窗口,改善了光栅对准标记正上方的钝化层平整度,使得对准激光经过“钝化层—空气”界面时一致性更好,能更好地获得和携带光栅对准标记信息,增强对准信号的强度及稳定性;同时由于台阶处的钝化层弧形面的弯曲弧度减小,从而进一步减少了该弧形面的反射光进入透镜组,从而提高了信噪比。钝化层的工艺层次改进后信号强度更加稳定,曝光过程中设备出现无法曝光的概率显著降低。
搜索关键词: 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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