[发明专利]晶圆接受测试方法在审
| 申请号： | 202310071938.1 | 申请日： | 2023-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN116031173A | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈俊池;于亚男;孟文艳;韩斌 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 崔莹 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆接受测试方法，包括：在所有PAD上放置针卡；将并行测试装置的pogo pin与针卡连接；利用pogo pin在所有信号端侧设置近端屏蔽层；在第一目标PAD、第二目标PAD以及第一邻位PAD、第二邻位PAD之间接上挂载电阻；定义待测量信号端、非测量信号端；将非测量信号端侧的近端屏蔽层接地；在第一目标PAD、第二目标PAD之间施加偏置电压，以获取待测量信号端之间的电流。本申请通过在所有信号端侧设置近端屏蔽层，并将非测量信号端侧的近端屏蔽层接地，可以将非测量信号端在与晶圆接触后形成的噪声及时引导至并行测试装置的内部地端，从而避免产生回路噪声，提高了小电流测试中测试数据的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 接受 测试 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
