[发明专利]晶圆接受测试方法在审
申请号: | 202310071938.1 | 申请日: | 2023-01-30 |
公开(公告)号: | CN116031173A | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 陈俊池;于亚男;孟文艳;韩斌 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/26 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 崔莹 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接受 测试 方法 | ||
1.一种晶圆接受测试方法,待测晶圆包括:多个相同的芯片和多个PAD,各所述芯片均具有至少两个信号端,各所述信号端对应地与各所述PAD电连接,其特征在于,所述晶圆接受测试方法包括:
将所有PAD与针卡接触,所述针卡用于进行电学测试;
将并行测试装置的pogo pin与所述针卡连接,其中,所述并行测试装置上设有远端屏蔽罩;
利用并行测试装置的pogo pin在所有信号端侧设置近端屏蔽层;
利用第一目标PAD、第二目标PAD以及第一邻位PAD、第二邻位PAD串接同一所述芯片上的多个挂载电阻,其中,所述第一邻位PAD位于所述第一目标PAD侧,所述第二邻位PAD位于所述第二目标PAD侧;
将所述第一目标PAD和所述第二目标PAD电连接的信号端定义为待测量信号端,以及将除所述第一目标PAD、所述第二目标PAD之外的剩余PAD电连接的信号端定义为非测量信号端;
将所述非测量信号端侧的近端屏蔽层接地;
在所述第一目标PAD、所述第二目标PAD之间施加偏置电压,以获取所述待测量信号端之间的电流。
2.根据权利要求1所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,利用第一目标PAD、第二目标PAD以及第一邻位PAD、第二邻位PAD串接同一所述芯片上的多个挂载电阻的步骤包括:
在所述第一邻位PAD和所述第一目标PAD之间串接第一挂载电阻;
在所述第一邻位PAD和所述第二目标PAD之间串接第二挂载电阻;
在所述第一邻位PAD和所述第二邻位PAD之间串接第三挂载电阻。
3.根据权利要求2所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,所述第一挂载电阻的阻值小于所述第二挂载电阻的阻值,所述第二挂载电阻的阻值小于所述第三挂载电阻的阻值。
4.根据权利要求1所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,在将并行测试装置的pogopin与所述针卡连接之后,以及在将除所述第一目标PAD、所述第二目标PAD之外的剩余PAD电连接的信号端侧的近端屏蔽层接地之前,所述晶圆接受测试方法还包括:
将所述远端屏蔽罩接地。
5.根据权利要求1所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,所有的所述近端屏蔽层相互独立。
6.根据权利要求1所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,所述第一目标PAD和所述第二目标PAD为所有PAD中的任意两个PAD。
7.根据权利要求1所述的晶圆接受测试方法,其特征在于,所述在所述第一目标PAD、所述第二目标PAD之间施加偏置电压,以获取所述待测量信号端之间的电流之后,所述晶圆接受测试方法还包括:
切断所述非测量信号端侧的近端屏蔽层与地端的连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造