[发明专利]一种气体扩散系统及半导体设备在审
| 申请号： | 202310066671.7 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN116092980A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张喜玲 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 鲁盛楠 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种气体扩散系统及半导体设备，气体扩散系统设置于制程腔室，包括第一气流通道，用于提供第一气流；第二气流通道，用于提供第二气流；加热装置，用于对制程腔室进行加热；气体扩散装置，气体扩散装置与第一气流通道和第二气流通道连通，气体扩散装置用于将第一气流和第二气流混合形成混合气流，并将混合气流输出至制程腔室中。通过气体扩散系统中的气体扩散装置，使得第一气流和第二气流可以在气体扩散装置中混合形成混合气流，降低气流混合时间；加热装置在加热制程腔室的过程中还可以对气体扩散装置中的混合气流进行预热，提高通入制程腔室内的混合气流的温度均匀性，提高半导体器件形成的薄膜厚度的均一性，提高产品的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 气体 扩散 系统 半导体设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
