[发明专利]半导体结构的制造方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202310066664.7 | 申请日： | 2023-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN115955838A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 卢志远 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，包括衬底和覆盖于衬底的顶面的叠层结构，衬底包括第一有源区、存储阵列区和预设区域；去除覆盖于存储阵列区和预设区域的叠层结构，以暴露出衬底的部分顶面；形成导电层，导电层覆盖第一有源区的叠层结构以及存储阵列区和预设区域暴露出来的衬底；图形化叠层结构和导电层，以于第一有源区形成栅极，于预设区域形成电源线；形成互连结构，互连结构覆盖电源线的部分表面，以及覆盖第一有源区的第一源漏极。本公开设置一个互连结构即可将电源线和第一有源区连接；并且，由于电源线和栅极由相同工艺形成的导电层制成，简化工艺流程，提高了生产效率和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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