[发明专利]非易失性存储器件在审
| 申请号： | 202310059220.0 | 申请日： | 2023-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN116564367A | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 赵栢衡;边大锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C7/18;G11C8/14;H01L23/488;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;邓思思 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括存储单元阵列、第一上接合焊盘、第二上接合焊盘以及位于所述第一上接合焊盘与所述第二上接合焊盘之间的上虚设接合焊盘。所述第二半导体芯片在垂直方向上耦接到所述第一半导体芯片，并且包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘、下虚设接合焊盘以及耦接到所述第一下接合焊盘和所述第二下接合焊盘的外围电路。所述第一接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第一电压。所述第二接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第二电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
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