[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202310043719.2 申请日: 2023-01-29
公开(公告)号: CN116805649A 公开(公告)日: 2023-09-26
发明(设计)人: 中村研贵;塚田能成;米田真也;前田康宏;根来佑树;小堀俊光 申请(专利权)人: 本田技研工业株式会社
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/07
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 洪秀川;刘国超
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种半导体装置。半导体装置(10)具备:n+源极层(20)及源电极(12);n+漏极层(16)、n漂移层(17)及漏电极(11);以及p基极层(19)及基电极(13)。p基极层(19)具有将n+源极层(20)与n漂移层(17)分隔的沟道部(19c)。半导体装置(10)具备第二接点部(19b),该第二接点部(19b)与基电极(13)相邻,并且杂质浓度比p基极层(19)的其他的部位的杂质浓度相对大。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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