[发明专利]一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片在审

专利信息
申请号: 202310040416.5 申请日: 2023-01-11
公开(公告)号: CN116054952A 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 万萦菲;吉晨;郭清水;王启超;熊祎缇;池超旦;刘奕利 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: H04B10/524 分类号: H04B10/524;H04B10/50;H04Q11/04;H04Q11/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 邱启旺
地址: 311121 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种基于Nyquist光脉冲的单片集成OTDM信号发生芯片,包括半导体材料基底及集成在基底上的分布式反馈激光器、第一马赫曾德尔调制器、第二马赫曾德尔调制器、半导体光放大器、1×m多模干涉耦合器、光延迟线阵列、马赫曾德尔调制器阵列和m×1多模干涉耦合器。第一马赫曾德尔调制器和第二马赫曾德尔调制器级联,用于将连续激光调制成周期可调的Nyquist光脉冲;1×m多模干涉耦合器将增益后的光脉冲等功率分为m路光脉冲信号,光延迟线阵列用于改变光脉冲信号的相对延时,m路光脉冲信号经马赫曾德尔调制器调制,并由m×1多模干涉耦合器合束。该芯片通过DFB激光器与两个马赫曾德尔调制器级联代替传统的锁模激光器作为片上OTDM光源,可实现高速OTDM信号传输。
搜索关键词: 一种 基于 nyquist 脉冲 单片 集成 otdm 信号 发生 芯片
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