[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片在审
| 申请号： | 202310035020.1 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116387413A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 黄斌斌;陈从龙;梅震;王亚杰;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高勇 |
| 地址： | 330103 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，与现有高压LED芯片的工艺制程中，先深刻蚀形成隔离沟槽再沉积电流扩展层不同，在本申请所提供的LED芯片的制备方法中，先沉积电流扩展层，再深刻蚀形成隔离沟槽，从而无需对深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层进行刻蚀，避免深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层难以蚀刻干净以及电流扩展层因过刻蚀导致发光面积减小的问题，有利于减少LED芯片的漏电异常，增大电流扩展层的发光面积，并且，对电流扩展层的刻蚀以及形成台面区的台面刻蚀采用一次刻蚀工艺完成，大大简化工艺流程，降低芯片制作成本，而且不需要考虑台面区和电流扩展层的套刻问题，有利于进一步增大电流扩展层的发光面积。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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