[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片

说明书

本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，与现有高压LED芯片的工艺制程中，先深刻蚀形成隔离沟槽再沉积电流扩展层不同，在本申请所提供的LED芯片的制备方法中，先沉积电流扩展层，再深刻蚀形成隔离沟槽，从而无需对深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层进行刻蚀，避免深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层难以蚀刻干净以及电流扩展层因过刻蚀导致发光面积减小的问题，有利于减少LED芯片的漏电异常，增大电流扩展层的发光面积，并且，对电流扩展层的刻蚀以及形成台面区的台面刻蚀采用一次刻蚀工艺完成，大大简化工艺流程，降低芯片制作成本，而且不需要考虑台面区和电流扩展层的套刻问题，有利于进一步增大电流扩展层的发光面积。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片的制备方法及一种LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是利用半导体P-N结电致发光原理将电能转化为光能的半导体发光器件，具有体积小、功耗低、寿命长等优点，现已广泛应用于照明、背光和车灯等领域。

随着LED行业的不断发展，新型高压(High Voltage，HV)LED芯片备受关注，高压LED芯片是将制备好的外延层通过深刻蚀隔离沟槽分割成多个独立的芯粒，并通过电极桥接的方式将多个独立的芯粒串联起来而构成的LED芯片，高压LED芯片在小电流驱动下，能够达到较高的功率，根据连接的芯粒数可以得到不同的驱动电压。与普通LED芯片相比，高压LED芯片不仅能减小封装成本，减少元件数和焊点数，提高可靠性，而且电压高，无需大幅度的电压转换，变压损耗小，驱动设计简单，另外电流小，散热要求低，可靠性高。

然而，现有高压LED芯片的工艺制程中，由于芯粒之间的深刻蚀隔离沟槽较深，导致深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层很难蚀刻干净，容易造成漏电，而为了将深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层蚀刻干净，需要对电流扩展层进行过刻蚀，但这样又会增大电流扩展层和台面之间的距离，导致电流扩展层的发光面积减小，进而造成LED芯片的亮度降低。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种LED芯片的制备方法及一种LED芯片，以将形成电流扩展层的工艺步骤提前到形成深刻蚀隔离沟槽的工艺步骤之前，从而无需对深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层进行刻蚀，避免深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层难以蚀刻干净以及电流扩展层因过刻蚀导致发光面积减小的问题。

为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种LED芯片的制备方法，包括：

提供一衬底，在所述衬底上形成外延叠层，所述外延叠层包括沿背离所述衬底的方向依次排布的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层；

在所述第二型半导体层背离所述衬底一侧沉积电流阻挡层，并对所述电流阻挡层进行刻蚀，形成具有预设图形的电流阻挡层；

在所述电流阻挡层和所述第二型半导体层背离所述衬底一侧沉积电流扩展层，并采用一次刻蚀工艺对所述电流扩展层、所述电流阻挡层以及所述外延叠层进行刻蚀，形成贯穿所述电流扩展层和所述电流阻挡层的通孔以及裸露部分所述第一型半导体层的台面区，所述台面区包括第一台面区和第二台面区，所述第一台面区包括电极区；

在所述第二台面区进行深刻蚀，形成贯穿所述外延叠层的隔离沟槽；

形成钝化层，并形成第一电极和第二电极，其中，所述钝化层裸露所述通孔和所述电极区，所述第一电极位于所述电极区，且与所述第一型半导体层接触，所述第二电极通过所述通孔与所述第二型半导体层接触。

可选的，对所述电流阻挡层进行刻蚀，形成具有预设图形的电流阻挡层包括：

在所述电流阻挡层背离所述衬底一侧形成第一光刻胶层；

对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，使所述第一光刻胶层形成预设图形；