[发明专利]一种异质结太阳电池金属电极的制备方法及异质结太阳电池在审
| 申请号： | 202310033929.3 | 申请日： | 2023-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN116014002A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘怀良;顷淮斌;吴晓松 | 申请（专利权）人： | 三一硅能（株洲）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/072;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 尹晓杰 |
| 地址： | 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳电池的技术领域，提供了一种异质结太阳电池金属电极的制备方法及异质结太阳电池。该制备方法包括以下步骤：(1)将所述电池片用含金属离子的预浸液处理；(2)将步骤(1)获得的电池片采用含金属胶体的第一活化液处理；(3)激光解胶：将步骤(2)获得的电池片用激光照射；(4)将步骤(3)获得的电池片浸入化学镀液中，至少使用一次化学镀制备金属电极。该制备方法获得的金属栅线电极与TCO层的结合力强，稳定性好，而且制备工艺流程短，经济成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳电池 金属电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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