[发明专利]一种半导体蚀刻机导轨的制备方法在审

专利信息
申请号: 202310030079.1 申请日: 2023-01-09
公开(公告)号: CN116120056A 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 曹珍;柳雨生;陈勇 申请(专利权)人: 基迈克材料科技(苏州)有限公司
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;B28B3/02;B28B1/087;C04B35/622;C04B35/64;H01L21/67
代理公司: 苏州企知鹰知识产权代理事务所(普通合伙) 32420 代理人: 王玉珍
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体蚀刻机导轨的制备方法,涉及半导体设备制备领域,其技术方案要点是:一种半导体蚀刻机导轨的制备方法,包括以下步骤:S1、备料:选用纯度为99.9%的氧化锆造粒粉料;S2、填充粉料:先制备模具,模具采用敞开式水平模具,将粉料填充到模具中,启动振动平台进行水平振动,振动之后进行塑封成型;S3、冷等静压:将成型好的生坯移至冷等静压作业区域进行压制,设置最高压力为200兆帕;S4、烧结:将压制后的坯件进行烧结,烧结时将坯件呈倾斜放置,其坡度夹角为15‑30°。本发明的一种半导体蚀刻机导轨的制备方法,能够制取组织结构均匀的半导体蚀刻机的导轨。
搜索关键词: 一种 半导体 蚀刻 导轨 制备 方法
【主权项】:
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