[发明专利]一种碳化硅IGBT晶圆的制备工艺在审
| 申请号： | 202310024960.0 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN116053135A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 | 申请（专利权）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京和联顺知识产权代理有限公司 11621 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种碳化硅IGBT晶圆的制备工艺，所述制备工艺对晶圆进行四次翻转，依照温度高低依次进行正面高温工艺、背面高温工艺、正面次高温工艺、背面次高温工艺、正面剩余工艺对碳化硅IGBT晶圆进行加工，第一次翻转从正面高温工艺切换为背面高温工艺，第二次翻转从背面高温工艺切换为正面次高温工艺，第三次翻转从正面次高温工艺切换为背面次高温工艺，第四次翻转从背面次高温工艺切换为正面，进行后续较低温度的加工工艺。本发明制备工艺，加工过程稳定，按照温度高低进行加工，后续温度低于前序工艺，不会对已经制好的工艺造成影响，保证碳化硅IGBT晶圆的品质，提高碳化硅IGBT晶圆制备工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 igbt 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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