[发明专利]一种NOR闪存器件的制造方法在审
| 申请号： | 202310024658.5 | 申请日： | 2023-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN115915765A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 齐翔羽;段松汉;佟宇鑫;顾林;王虎 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/41;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NOR闪存器件的制造方法，包括提供衬底，该衬底上形成有栅极结构；淀积ONO层，ONO层包括减薄的HTO层、减薄的SiN层和加厚的TEOS层；对ONO层进行刻蚀以形成第一侧墙；刻蚀去除外围区的TEOS层；利用光刻工艺在衬底中形成源极区域和漏极区域；刻蚀去除存储单元区的TEOS层；对存储单元区进行源漏极离子注入；淀积TEOS层并刻蚀以形成第二侧墙；对外围区进行源漏极离子注入。本发明在对ONO层刻蚀形成第一侧墙时按照时间进行刻蚀，保留一定厚度的TEOS层，使SiN层无损失，再通过湿法工艺去除该TEOS层，然后第二次淀积TEOS层，使得后续侧墙刻蚀窗口得到有效提升，避免了有源区损伤或者SIN残留现象的发生，提升了Nor闪存器件ILD的填充性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor 闪存 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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