[发明专利]半导体纳米粒子的制造方法、半导体纳米粒子及发光器件在审
| 申请号： | 202280019489.X | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN116941051A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 鸟本司;龟山达矢;桑畑进;上松太郎;五十川阳平;小谷松大祐;久保朋也 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东海国立大学机构;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供显示出带边发光、且显示出高带边发光纯度的半导体纳米粒子的高效的制造方法。半导体纳米粒子的制造方法包括：对包含银(Ag)盐、铟(In)盐、具有镓(Ga)‑硫(S)键的化合物、镓卤化物、以及有机溶剂的混合物进行热处理而得到第1半导体纳米粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 粒子 制造 方法 发光 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 秋元肇 - 日亚化学工业株式会社
- 2021-11-22 - 2023-06-06 - H01L33/50
- 实施方式的图像显示装置的制造方法具备如下工序：在第一基板上形成包含单晶金属的第一部分的导电层；在所述第一部分上形成包含发光层的半导体层；加工所述半导体层，形成发光元件，该发光元件在所述第一部分上具有底面，且包含作为所述底面的相反侧的面的发光面；形成将所述第一基板、所述导电层以及所述发光元件覆盖的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜上形成电路元件；形成将所述第一绝缘膜以及所述电路元件覆盖的第二绝缘膜；去除所述第一绝缘膜的一部分以及所述第二绝缘膜的一部分而使包含所述发光面的面露出；以及在所述第二绝缘膜上形成布线层。
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