[发明专利]氮化镓晶体、氮化镓衬底及氮化镓衬底的制造方法在审
| 申请号： | 202280017084.2 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN116917558A | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 三川丰;池田宏隆;包全喜;栗本浩平;岛纮平;小岛一信;石黒徹;秩父重英 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 李晓 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： |
本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×10 |
||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所;国立大学法人东北大学，未经三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所;国立大学法人东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202280017084.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
