[实用新型]一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置有效
申请号: | 202222857539.1 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN218321633U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 徐家庆;梁玉涛;苏鑫 | 申请(专利权)人: | 大连皓宇电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50 |
代理公司: | 沈阳天赢专利代理有限公司 21251 | 代理人: | 尹思雪 |
地址: | 116000 辽宁省大连市中国(辽宁)*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置,包括法兰头,所述法兰头的底部凹槽活动相连有转轴,两个所述连杆的顶部均固接有环形件,两个所述环形件的内侧活动相连有保护筒,所述保护筒的内壁与转轴的外壁相贴合,所述保护筒的顶部环形槽活动相连有橡胶卡环,所述橡胶卡环的上方与法兰头的侧壁固定连接。本实用新型涉及设备中硅片传送技术领域,通过环形件、半圆形板件和限位弧形板之间的配合,采用保护筒对接触处的侧面进行保护,解决了现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差的问题,不影响后续转轴和法兰头的分离。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 pecvd 工艺 体内 硅片 传送 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的