[实用新型]一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置有效
申请号: | 202222857539.1 | 申请日: | 2022-10-28 |
公开(公告)号: | CN218321633U | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 徐家庆;梁玉涛;苏鑫 | 申请(专利权)人: | 大连皓宇电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50 |
代理公司: | 沈阳天赢专利代理有限公司 21251 | 代理人: | 尹思雪 |
地址: | 116000 辽宁省大连市中国(辽宁)*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 pecvd 工艺 体内 硅片 传送 装置 | ||
本实用新型公开了一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置,包括法兰头,所述法兰头的底部凹槽活动相连有转轴,两个所述连杆的顶部均固接有环形件,两个所述环形件的内侧活动相连有保护筒,所述保护筒的内壁与转轴的外壁相贴合,所述保护筒的顶部环形槽活动相连有橡胶卡环,所述橡胶卡环的上方与法兰头的侧壁固定连接。本实用新型涉及设备中硅片传送技术领域,通过环形件、半圆形板件和限位弧形板之间的配合,采用保护筒对接触处的侧面进行保护,解决了现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差的问题,不影响后续转轴和法兰头的分离。
技术领域
本实用新型涉及设备中硅片传送技术领域,具体为一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置。
背景技术
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统的工艺腔内,多个硅片通常放置于转盘的四周上,该转盘通过法兰支撑,法兰通过转轴支撑,转轴带功法兰旋转进而带动转盘旋转。当传送硅片的机械手臂将硅片传送至工艺腔内并将硅片放置在转盘上位于机械手臂下方的某一硅片放置位置上后,转轴带动转盘转动,使得转盘上的下一硅片放置位置对准于传送硅片的机械手臂的下方,这样确保通过机械手臂多次拾取、放置硅片,最终使转盘上的硅片放置位置均被放置上硅片。
在维护硅片传送装置时需要经常拆卸传送装置上的转盘,因此不可避免的需要将承载转盘的法兰与转轴分离,在此过程中,通常法兰与转轴非常难以分离。主要原因是使用时间过长且长时间处于等离子体的环境中,转轴与法兰接触的上表面容易被侵蚀,并与法兰粘附后难以分离。现有技术中在拆卸时通常采用异丙醇浸泡法兰和转轴的结合部分,甚至采用敲击等各种破坏性方法将法兰与转轴强行分离,采用现有技术的方法拆分法兰和转轴后必须更换新的法兰,并且很可能对转轴也造成损伤,引起整个硅片传送装置出现多种机械问题。
但是现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差,影响后续转轴和法兰头的分离。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置,解决了现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差,影响后续的分离的问题。
为实现上述目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置,包括法兰头,所述法兰头的底部凹槽活动相连有转轴,所述转轴的顶部贴合有隔离垫片,所述转轴的外侧设置有防护机构,防护机构包括限位弧形板、半圆形板件、连杆、环形件、保护筒和橡胶卡环,两个所述半圆形板件的内侧与转轴的外壁相贴合,两个所述半圆形板件的上下两侧均贴合有限位弧形板,两个所述半圆形板件的内侧通过螺栓固定连接,两个所述限位弧形板的背面与转轴的正面固定连接,两个所述半圆形板件的顶部固接有两个连杆,两个所述连杆的顶部均固接有环形件,两个所述环形件的内侧活动相连有保护筒,所述保护筒的内壁与转轴的外壁相贴合,所述保护筒的顶部环形槽活动相连有橡胶卡环,所述橡胶卡环的上方与法兰头的侧壁固定连接。
优选的,所述橡胶卡环的外壁与保护筒的顶部环形槽形状相契合。
优选的,所述隔离垫片的内侧开设有多个第一螺纹孔,所述法兰头的内侧加工有多个与第一螺纹孔相对应的第二螺纹孔。
优选的,所述第一螺纹孔和第二螺纹孔的数量为三个。
优选的,所述隔离垫片的顶部设置有三个凸起,三个所述凸起的外壁与法兰头的下方凹槽活动相连。
有益效果
本实用新型提供了一种新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置。具备以下有益效果:该新型PECVD工艺腔体内硅片传送装置通过环形件、半圆形板件和限位弧形板之间的配合,采用保护筒对接触处的侧面进行保护,解决了现有的传送装置单单依靠隔离垫片只能保护好转轴和法兰头的端面,对侧壁的保护效果差的问题,不影响后续转轴和法兰头的分离。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的