[实用新型]用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置有效
| 申请号： | 202222319127.2 | 申请日： | 2022-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN218525548U | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 顾仁宝;杨国江;张牧;李伟东;朱文健;余箫伟;魏韶华;孙潇男;徐国俊;靳普云;薛弘宇 | 申请（专利权）人： | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 张洪伟 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于石英产品清洗技术领域领域，提供了一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置，包括水槽、带孔平台、平台支撑和溢流管道；所述带孔平台设置在水槽内部，以使得水槽内部在带孔平台上侧形成蓄水腔；所述平台支撑设置在带孔平台下表面并与水槽内壁紧配，所述平台支撑中设置暂存空间，所述暂存空间通过带孔平台与蓄水腔相通；其中，所述带孔平台中部向上形成溢流凸起，以使得溢流凸起与石英罩之间形成溢流空间；所述溢流凸起顶部中间设置有溢流口，所述溢流管道从水槽底部向上穿过平台支撑与溢流口相连。本实用新型能够同时去除石英罩内外表面的金属离子，节省超纯水的使用量，避免浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 除去 石英 表面 金属 离子 超纯水 溢流 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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