[实用新型]用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置有效
申请号: | 202222319127.2 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN218525548U | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 顾仁宝;杨国江;张牧;李伟东;朱文健;余箫伟;魏韶华;孙潇男;徐国俊;靳普云;薛弘宇 | 申请(专利权)人: | 江苏凯威特斯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 无锡苏元专利代理事务所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 张洪伟 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 除去 石英 表面 金属 离子 超纯水 溢流 装置 | ||
本实用新型属于石英产品清洗技术领域领域,提供了一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置,包括水槽、带孔平台、平台支撑和溢流管道;所述带孔平台设置在水槽内部,以使得水槽内部在带孔平台上侧形成蓄水腔;所述平台支撑设置在带孔平台下表面并与水槽内壁紧配,所述平台支撑中设置暂存空间,所述暂存空间通过带孔平台与蓄水腔相通;其中,所述带孔平台中部向上形成溢流凸起,以使得溢流凸起与石英罩之间形成溢流空间;所述溢流凸起顶部中间设置有溢流口,所述溢流管道从水槽底部向上穿过平台支撑与溢流口相连。本实用新型能够同时去除石英罩内外表面的金属离子,节省超纯水的使用量,避免浪费。
技术领域
本实用新型涉及石英产品清洗技术领域,尤其是一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置。
背景技术
石英因耐高温、耐腐蚀、热稳定性好、透光性能好及电绝缘性能好,在半导体行业中被广泛应用。高纯石英制品更是晶圆生产中的重要耗材。生产硅单晶的坩埚、晶舟、扩散炉炉芯管等石英部件必须使用高纯石英玻璃制品。石英部件在半导体领域主要目标市场应用为晶圆代工中扩散和刻蚀工艺,所以为了防止加工过程中的污染,使用中必须要确保石英材料的高纯度和石英材料表面的金属离子含量。
由于半导体石英件价格比较昂贵,所以所有的半导体石英部件都需要通过清洗的方法达到再次使用的目的;在清洗过程中,石英部件表面金属离子的含量管控十分重要。
石英部件表面的金属离子一般是通过超纯水溢流来进行去除的;现有的溢流装置不能达到较大的石英罩的溢流效果,通常石英罩外表面的金属离子含量将会达到使用标准,但是石英罩的内表面的金属离子含量不能达到使用标准。因为石英罩较大,超纯水不能在石英罩内部进行很好的流动,从而导致了石英罩内部的金属离子无法很好地去除,最终会损坏晶圆,严重影响晶圆的生产,从而造成较大的损失;同时现有的溢流装置溢流石英罩时所用的纯水量较大,会造成不必要的浪费,从而使得生产成本较高。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有的缺陷,提供一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型一种用于除去石英罩表面金属离子的超纯水溢流装置,包括水槽、带孔平台、平台支撑和溢流管道;其中水槽、带孔平台和平台支撑均为PP材质;
所述带孔平台用于放置倒扣的石英罩,且所述带孔平台设置在水槽内部,以使得水槽内部在带孔平台上侧形成蓄水腔;
所述平台支撑设置在带孔平台下表面并与水槽内壁紧配,所述平台支撑中设置暂存空间,所述暂存空间通过带孔平台与蓄水腔相通;
其中,所述带孔平台中部向上形成溢流凸起,以使得溢流凸起与石英罩之间形成溢流空间;
所述溢流凸起顶部中间设置有溢流口,所述溢流管道从水槽底部向上穿过平台支撑与溢流口相连。
进一步地,所述水槽上设置有进水管道,所述进水管道上安装调节阀;
所述进水管道与水槽之间的连接接口位于石英罩上侧。
进一步地,所述平台支撑底部设置有排水管道,所述排水管道上安装排水阀。
进一步地,所述水槽顶部设置有槽盖,所述槽盖顶部设置有把手。
有益效果:
本实用新型能够同时去除石英罩内外表面的金属离子,使得后续的晶圆生产正常进行,降低生产中因石英罩表面瑕疵而产生的损失,同时可以节省超纯水的使用量,避免浪费。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏凯威特斯半导体科技有限公司,未经江苏凯威特斯半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202222319127.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造