[实用新型]一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置有效
| 申请号： | 202222023609.3 | 申请日： | 2022-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN218262723U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 刘康华;燕强;朱焱均;王尧林;赵大国 | 申请（专利权）人： | 乂易半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/34;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 陈义 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区新华*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种防止半导体金属气相沉积粘片的装置，涉及半导体制造设备技术领域，所述防止半导体金属气相沉积粘片的装置包括盖环、晶圆和支撑平台，盖环设置在晶圆的上方，晶圆设置在支撑平台上；盖环的底侧设置有压头，晶圆能与压头相抵，盖环与晶圆之间设置有弹性件，弹性件的两端分别与盖环和晶圆相抵；本实用新型通过压头能够有效避免沉积过程中晶圆的金属层与盖环全面接触，通过弹性件能够对晶圆与盖环施加推力，在支撑平台下降时促使二者分离，压头和弹性件相互配合能够有效避免粘片现象的发生，避免晶圆损伤破片，防止机台宕机，提高设备工作的稳定性，提高产能，同时有效减少机台后期的保养和维护成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 半导体 金属 沉积 装置 | ||
【主权项】：
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