[实用新型]一种二极管元胞有效
| 申请号: | 202221509024.6 | 申请日: | 2022-06-16 | 
| 公开(公告)号: | CN217522006U | 公开(公告)日: | 2022-09-30 | 
| 发明(设计)人: | 袁强;周嵘;孟繁新;贺晓金;姚秋原;余文兴;张浩宇 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) | 
| 主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L29/45;H01L23/373;H01L21/8249 | 
| 代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪劲松 | 
| 地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 | 
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| 摘要: | 本实用新型提供的一种二极管元胞,包括若干元胞;若干元胞的N+衬底、背面金属层、正面金属层连接为一体,N+衬底的背面和正面分别与背面金属层和势垒接触,势垒的正面中部加工有MOS沟道,若干元胞的MOS沟道相互连接,所述正面金属层将势垒的正面覆盖且其连两端分别与势垒的基极和栅极接触。本实用新型采用多元胞并联结构,大大提高了导通电阻;采用多层金属布局,避免了超薄栅氧在键合过程中受到的键合应力损伤,提升了产品良率和可靠性,金属层同时起了散热器的功能,改善了产品的散热效果;通过多个元胞内的少子势垒降低了二极管在高频率开关过程中的导通损耗。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 二极管 | ||
【主权项】:
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
                
            H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





