[实用新型]一种二极管元胞

权利要求书

1.一种多二极管元胞，包括若干元胞，其特征在于：若干元胞的N+衬底(1)、背面金属层(2)、正面金属层(12)连接为一体，N+衬底(1)的背面和正面分别与背面金属层(2)和势垒接触，势垒的正面中部加工有MOS沟道，若干元胞的MOS沟道相互连接，所述正面金属层(12)将势垒的正面覆盖且其连两端分别与势垒的基极和栅极接触。

2.如权利要求1所述的多二极管元胞，其特征在于：所述势垒包括外延区(3)、P型基区(9)、N+区(11),外延区(3)的背面与N+衬底(1)的正面接触，外延区(3)的正面与P型基区(9)接触，P型基区(9)的正面与N+区(11)接触，所述MOS沟道底部的底部设置在外延区(3)上部。

3.如权利要求2所述的多二极管元胞，其特征在于：所述MOS沟道的底部为弧形。

4.如权利要求3所述的多二极管元胞，其特征在于：所述MOS沟道包括沟槽，沟槽内壁表面通过氧化层(7)覆盖，沟槽内填充有多晶硅(8)。

5.如权利要求4所述的多二极管元胞，其特征在于：所述氧化层(7)的厚度为所述多晶硅(8)的厚度为0.2～0.6μm。

6.如权利要求1所述的多二极管元胞，其特征在于：所述势垒的两端还加工有台阶，台阶的底部设置有P+区(10)，所述正面金属层(12)将台阶覆盖。

7.如权利要求1所述的多二极管元胞，其特征在于：所述背面金属层(2)包括依次覆盖在N+衬底(1)背面的背面钛层(4)、背面镍层(5)、背面银层(6)，背面钛层(4)、背面镍层(5)、背面银层(6)的厚度依次为80～100nm、80～100nm、1400～1500nm。

8.如权利要求1所述的多二极管元胞，其特征在于：所述正面金属层(12)包括依次覆盖在势垒上的正面铝层(13)、正面镍层(14)、正面钯层(15)、正面金层(16)，正面铝层(13)、正面镍层(14)、正面钯层(15)、正面金层(16)的厚度依次为4μm～6μm、1μm～2μm、