[实用新型]一种基座及衬底处理设备有效
申请号: | 202221450716.8 | 申请日: | 2022-06-10 |
公开(公告)号: | CN217719557U | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 刘自强 | 申请(专利权)人: | 江苏天芯微半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张双红;张静洁 |
地址: | 214111 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种基座及衬底处理设备,所述基座包括:本体,本体包括:内部区域,置于本体的中部。倾斜支撑区,倾斜支撑区环绕内部区域且其内边缘与内部区域的边缘连接。边缘区,边缘区环绕倾斜支撑区,且其内边缘与倾斜支撑区的外边缘连接。边缘区的顶表面高于内部区域的顶表面。倾斜支撑区包含倾斜支撑表面,倾斜支撑表面上间隔设置有若干个凸起结构,凸起结构沿倾斜支撑表面的径向延伸;凸起结构的顶表面用于支撑待处理衬底。相邻的两个凸起结构之间具有间隙,待处理衬底的底表面和内部区域的顶表面之间的气体从间隙中排出。本实用新型能够减少因为排气引起衬底滑移,提高衬底工艺质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 基座 衬底 处理 设备 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造