[实用新型]一种基座及衬底处理设备有效
申请号: | 202221450716.8 | 申请日: | 2022-06-10 |
公开(公告)号: | CN217719557U | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 刘自强 | 申请(专利权)人: | 江苏天芯微半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 张双红;张静洁 |
地址: | 214111 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基座 衬底 处理 设备 | ||
1.一种基座,用于衬底处理设备,所述衬底处理设备包括:反应腔、加热装置及基座,所述基座置于反应腔内,用于承载待处理的衬底,所述加热装置设置于反应腔的上方和/或下方,用于提供热辐射,其特征在于,包括:本体,所述本体包括:
内部区域,置于所述本体的中部;
倾斜支撑区,所述倾斜支撑区环绕所述内部区域且其内边缘与所述内部区域的边缘连接;
边缘区,所述边缘区环绕所述倾斜支撑区,且其内边缘与所述倾斜支撑区的外边缘连接;
所述边缘区的顶表面高于所述内部区域的顶表面;
所述倾斜支撑区包含倾斜支撑表面,所述倾斜支撑表面上间隔设置有若干个凸起结构,所述凸起结构沿所述倾斜支撑表面的径向延伸;所述凸起结构的顶表面用于支撑待处理衬底;
相邻的两个凸起结构之间具有间隙,所述待处理衬底的底表面和所述内部区域的顶表面之间的气体从所述间隙中排出。
2.如权利要求1所述的基座,其特征在于,每一所述凸起结构包括至少两个凸柱,所述凸柱沿所述倾斜支撑表面的径向排列。
3.如权利要求1所述的基座,其特征在于,每一所述凸起结构呈腰形。
4.如权利要求1所述的基座,其特征在于,每一所述凸起结构呈长方体形。
5.如权利要求1所述的基座,其特征在于,每一所述凸起结构的表面从靠近所述倾斜支撑表面的内边缘到远离所述倾斜支撑表面的内边缘扩大;
相邻两个所述凸起结构之间的所述间隙从靠近所述倾斜支撑表面的内边缘到远离所述倾斜支撑表面的内边缘收缩。
6.如权利要求1~5中任意一项所述的基座,其特征在于,所述凸起结构的顶表面上设有子凸起结构。
7.如权利要求1~5中任意一项所述的基座,其特征在于,所述凸起结构的顶表面为粗糙表面,所述粗糙表面的粗糙度为0.4-1.6μm。
8.如权利要求1~5中任意一项所述的基座,其特征在于,所述凸起结构的高度大于0mm,小于或等于0.2mm。
9.如权利要求1所述的基座,其特征在于,所述本体呈圆盘状,所述倾斜支撑区和所述边缘区呈圆环状。
10.如权利要求1~5中任意一项所述的基座,其特征在于,所述本体的材料包括石墨。
11.一种衬底处理设备,其特征在于,包括:
反应腔;
如权利要求1~10中任意一项所述的基座,所述基座置于反应腔内,用于承载待处理的衬底;
加热装置,所述加热装置设置于反应腔的上方和/或下方,用于提供热辐射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造