[实用新型]一种基座及衬底处理设备

说明书

本实用新型公开了一种基座及衬底处理设备，所述基座包括：本体，本体包括：内部区域，置于本体的中部。倾斜支撑区，倾斜支撑区环绕内部区域且其内边缘与内部区域的边缘连接。边缘区，边缘区环绕倾斜支撑区，且其内边缘与倾斜支撑区的外边缘连接。边缘区的顶表面高于内部区域的顶表面。倾斜支撑区包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面上间隔设置有若干个凸起结构，凸起结构沿倾斜支撑表面的径向延伸；凸起结构的顶表面用于支撑待处理衬底。相邻的两个凸起结构之间具有间隙，待处理衬底的底表面和内部区域的顶表面之间的气体从间隙中排出。本实用新型能够减少因为排气引起衬底滑移，提高衬底工艺质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体处理设备技术领域，特别涉及一种基座及衬底处理设备。

背景技术

半导体衬底(或称晶圆)经处理以用于各式各样的应用，包括集成元件与微器件的制造。在处理期间，衬底被定位于反应腔(用于外延处理的腔室，或外延设备的腔室)内的基座上。如图1所示，基座10通常具有盘状(platter)或碟形的上表面，所述上表面的边缘为一倾斜支撑表面11，以在衬底13的边缘附近从下方支撑衬底13，同时在衬底13的剩余下表面与基座10的上表面之间留下小间隙12。基座由支撑轴支撑，支撑轴可绕中心轴旋转。在加热装置(例如设置于基座下方的多个加热灯)上的精准控制允许基座在非常严格的误差内被加热。被加热的基座可以主要通过基座发射的辐射而将热传送给衬底。

然而，将衬底13放置在基座10的倾斜支撑表面11上后，由于这个倾斜支撑表面11为光滑的表面，会导致在取放衬底13时，衬底13出现滑动，且衬底13和基座10之间的空隙12的气体需要排出，气体无法排出会导致衬底13悬浮而造成衬底滑动，因为衬底13的边缘和倾斜支撑表面11均为光滑的表面，导致空隙12内的气体被压缩，当所述空隙12内的所述气体在某一个方向排出后，会导致衬底13向排出气体的相反方向滑移。不仅如此，如果工艺气体进入衬底13的背面还会不期望的沉积在衬底背面。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种基座及衬底处理设备，以解决衬底在传送过程中，衬底从基座上脱离、衬底放置在基座上以及衬底在基座上做工艺时，产生的滑片问题。

为了解决以上问题，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种基座，用于衬底处理设备，所述衬底处理设备包括：反应腔、加热装置及基座，所述基座置于反应腔内，用于承载待处理的衬底，所述加热装置设置于反应腔的上方和/或下方，用于提供热辐射，包括：本体，所述本体包括：内部区域，置于所述本体的中部。倾斜支撑区，所述倾斜支撑区环绕所述内部区域且其内边缘与所述内部区域的边缘连接。边缘区，所述边缘区环绕所述倾斜支撑区，且其内边缘与所述倾斜支撑区的外边缘连接。所述边缘区的顶表面高于所述内部区域的顶表面。所述倾斜支撑区包含倾斜支撑表面，所述倾斜支撑表面上间隔设置有若干个凸起结构，所述凸起结构沿所述倾斜支撑表面的径向延伸；所述凸起结构的顶表面用于支撑待处理衬底。相邻的两个凸起结构之间具有间隙，所述待处理衬底的底表面和所述内部区域的顶表面之间的气体从所述间隙中排出。

可选地，每一所述凸起结构包括至少两个凸柱，所述凸柱沿所述倾斜支撑表面的径向排列。

可选地，每一所述凸起结构呈腰形。

可选地，每一所述凸起结构呈长方体形。

可选地，每一所述凸起结构的表面从靠近所述倾斜支撑表面的内边缘到远离所述倾斜支撑表面的内边缘扩大。相邻两个所述凸起结构之间的所述间隙从靠近所述倾斜支撑表面的内边缘到远离所述倾斜支撑表面的内边缘收缩。

可选地，所述凸起结构的顶表面上设有子凸起结构。

可选地，所述凸起结构的顶表面为粗糙表面，所述粗糙表面的粗糙度为0.4-1.6μm。

可选地，所述凸起结构的高度大于0mm，小于或等于0.2mm。