[实用新型]稳定型碳化硅二极管器件有效
| 申请号： | 202221318465.8 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN217544627U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 赵耀;刘圣前;杨程;原江伟;傅信强;陈鸿骏;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L25/18;H01L23/495;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 稳定型碳化硅二极管器件。涉及半导体器件技术领域，尤其涉及稳定型碳化硅二极管器件。包括导电底板，所述导电框架呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。与传统的引线键合技术相比，芯片键合处接触面积翻倍，优点是：正向通流能力和正向浪涌能力提升。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 碳化硅 二极管 器件 | ||
【主权项】：
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