[实用新型]稳定型碳化硅二极管器件有效
| 申请号： | 202221318465.8 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN217544627U | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 赵耀;刘圣前;杨程;原江伟;傅信强;陈鸿骏;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L25/18;H01L23/495;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 郭翔 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稳定 碳化硅 二极管 器件 | ||
1.稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，包括
导电底板，所述导电底板呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；
第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；
第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；
FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和
SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。
2.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述导电底板、第二引脚、第三引脚、FRD芯片和SIC芯片分别封装在塑封体内。
3.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述FRD芯片通过若干第一铝线与所述第二引脚电性连接。
4.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述SIC芯片通过若干第二铝线与所述第三引脚电性连接。
5.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述导电底板上靠近顶部位置设有用于连接散热器的连接孔。
6.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述导电底板从上而下依次包括散热连接部和芯片键合部；
所述第一引脚从芯片键合部的下方向下延伸。
7.根据权利要求6所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述芯片键合部靠近边缘处设有导流槽。
8.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述导电底板为铜底板。
9.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述FRD芯片的阴极和SIC芯片的阴极分别通过银焊料固定设置在导电底板上。
10.根据权利要求1所述的稳定型碳化硅二极管器件，其特征在于，所述FRD芯片为快恢复二极管芯片。
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