[实用新型]稳定型碳化硅二极管器件

说明书

稳定型碳化硅二极管器件。涉及半导体器件技术领域，尤其涉及稳定型碳化硅二极管器件。包括导电底板，所述导电框架呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。与传统的引线键合技术相比，芯片键合处接触面积翻倍，优点是：正向通流能力和正向浪涌能力提升。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及稳定型碳化硅二极管器件。

背景技术

随着半导体材料和半导体器件制造技术的快速发展，各种新型大功率电力电子装置广泛地应用于各个领域。如电力配电系统中的功率控制器、功率调节器、有源电力滤波器等；大功率高性能 DC/DC 变流器、大功率风力发电机的励磁与控制器、风力发电中永磁发电机变频调速装置、大功率并网逆变器等；在电源方面的应用如高压脉冲电源及其控制系统、大功率脉冲电源、特种大功率电源及其控制系统等。

第三代宽禁带半导体材料由于具有优异的潜在材料性能，在功率器件中得到了广泛应用。其中碳化硅（SiC）功率器件的技术成熟度最高，几年前率先进入实用商品化阶段后，保持了较高的增长势头，吸引了产业界很多关注。相关新能源技术和产业（包括太阳能、风电、混合及纯电动汽车等）的发展更加速了SiC功率器件产业的成长。

与硅相比，SiC作为第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度，更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射的大功率器件。

鉴于碳化硅器件具有更高的开关频率，因此可以提供更高的功率密度，又因为高的开关频率，电路中所需的电容器，电感器尺寸大大减小，整个系统的尺寸减小，降低了成本。

尽管SiC功率器件具有显著的优势和广泛的应用前景。但是，碳化硅器件也有其自身的缺点，在浪涌电流能力方面，存在在电路中失效的风险，限制了碳化硅器件的使用的场景。

实用新型内容

本实用新型针对以上问题，提供了一种结构紧凑、降低浪涌电流的稳定型碳化硅二极管器件。

本实用新型的技术方案是：稳定型碳化硅二极管器件，包括

导电底板，所述导电底板呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；

第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；

第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；

FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和

SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。

进一步，所述导电底板、第二引脚、第三引脚、FRD芯片和SIC芯片分别封装在塑封体内。

进一步，所述FRD芯片通过若干第一铝线与所述第二引脚电性连接。

进一步，所述SIC芯片通过若干第二铝线与所述第三引脚电性连接。

进一步，所述导电底板上靠近顶部位置设有用于连接散热器的连接孔。

进一步，所述导电底板从上而下依次包括散热连接部和芯片键合部；

所述第一引脚从芯片键合部的下方向下延伸。

进一步，所述芯片键合部靠近边缘处设有导流槽。

进一步，所述导电底板为铜底板。