[实用新型]一种碳化硅晶体生长的热场结构有效
| 申请号： | 202221178574.4 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN217351623U | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 练小正;许照原 | 申请（专利权）人： | 苏州燎塬半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215613 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种碳化硅晶体生长的热场结构，在坩埚的上端设置坩埚凸台，并将坩埚与坩埚凸台一体成型，坩埚盖的外径略小于坩埚凸台的内径，盖在坩埚上，使得在溶液法碳化硅晶体的生长过程中，坩埚盖不容易与坩埚发生偏离，进而提高热场的稳定性和实验的可重复率。同时，将加热器设置为下底面有圆孔的圆筒状，在加热器的上端一体成型设置加热器凸台，上反射器的外径略小于加热器凸台的内径，上反射器放置在加热器凸台上。上述结构使得在装炉的规程中，上下反射器与籽晶杆，即整个装置的轴心的相对位移相对固定，增加了实验的可重复率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 结构 | ||
【主权项】：
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