[实用新型]一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统有效
| 申请号： | 202221122753.6 | 申请日： | 2022-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN217231024U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;徐文立;王誉程;胡建宇 | 申请（专利权）人： | 宁波恒普真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 孙玲 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统，涉及PVT法碳化硅单晶生长炉技术领域，主要结构包括主回路；主回路包括设置于炉腔上的第一真空装置、流量控制器、副回路以及第一控制器；副回路包括第二真空装置、第二控制器、比例阀、真空泵和真空管道，真空管道一端与炉腔相连通，真空管道另一端与真空泵的进口相连通，第二真空装置和比例阀均设置于真空管道上。本实用新型中的碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统，能够在用户设定的压力值变化、真空泵抽速波动的情况下快速使容器内压力控制在设定压力数值，提高了比例阀的调节频率和系统响应速度，减少了炉腔内压力震荡周期，缩短了压力调节时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 压力 控制系统 | ||
【主权项】：
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