[实用新型]一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置有效

专利信息
申请号: 202220859636.1 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN217739308U 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 刘鹏;刘晓;黄智;刘磊;李娴;周俊威 申请(专利权)人: 湖北台基半导体股份有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01N27/04;G01B21/20;G01B21/08
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 严崇姚
地址: 441021 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型的名称为一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置。属于功率半导体器件制造技术领域。它主要是解决现有电阻测试仪因锥型尖头探针会刺破或穿透半导体晶片表面镀膜而无法用于半导体晶片表面镀膜电阻检测的问题。它的主要特征是:包括电阻测试仪;所述电阻测试仪的检测探针为圆头形状的探头,其材质为金属铜。本实用新型具有能够准确测出半导体晶片表面金属镀膜电阻、结构简单和操作方便的特点,主要用于检测半导体晶片表面金属镀膜的电阻、电阻率和电导率。
搜索关键词: 一种 半导体 晶片 表面 镀膜 电阻 检测 装置
【主权项】:
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