[实用新型]一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置有效

专利信息
申请号: 202220859636.1 申请日: 2022-04-14
公开(公告)号: CN217739308U 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 刘鹏;刘晓;黄智;刘磊;李娴;周俊威 申请(专利权)人: 湖北台基半导体股份有限公司
主分类号: G01R27/02 分类号: G01R27/02;G01N27/04;G01B21/20;G01B21/08
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 严崇姚
地址: 441021 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 晶片 表面 镀膜 电阻 检测 装置
【说明书】:

本实用新型的名称为一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置。属于功率半导体器件制造技术领域。它主要是解决现有电阻测试仪因锥型尖头探针会刺破或穿透半导体晶片表面镀膜而无法用于半导体晶片表面镀膜电阻检测的问题。它的主要特征是:包括电阻测试仪;所述电阻测试仪的检测探针为圆头形状的探头,其材质为金属铜。本实用新型具有能够准确测出半导体晶片表面金属镀膜电阻、结构简单和操作方便的特点,主要用于检测半导体晶片表面金属镀膜的电阻、电阻率和电导率。

技术领域

本实用新型属于功率半导体器件制造技术领域,涉及功率器件的半导体晶片表面金属镀膜的质量检测装置,具体为一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置。

背景技术

半导体晶片表面金属镀膜质量检验内容通常包括镀膜外观、厚度、致密性、粘附性等参数的检验,但这些内容不能全面反应半导体晶片表面金属镀膜质量差异,对功率器件可靠性存在一定影响。

常用电阻测试仪的电阻检测探针通常是锥型尖头探针,如图2所示的方块电阻四探针测试仪的四探针4,仅适用于有一定硬度的测试物测试,而用于薄膜电阻测试时,由于镀膜厚度仅只有1µm~150µm,检测时锥型尖头探针可穿透薄膜直到基底,测试结果不是薄膜电阻,因此现有电阻测试仪无法用于薄膜电阻测试。

发明内容

本实用新型的目的就是针对上述不足之处而提供一种半导体晶片表面金属镀膜电阻检测装置,能准确测出半导体晶片表面金属镀膜的电阻。本实用新型进一步的目的是能准确测出半导体晶片表面金属镀膜的电阻率和电导率。

本实用新型的技术解决方案是:一种半导体晶片表面金属镀膜电阻检测装置,包括电阻测试仪,其特征在于:所述电阻测试仪的检测探针为圆头形状的圆形探头。

本实用新型的技术解决方案中所述的圆形探头共有4根,呈2mm均匀排布。

本实用新型的技术解决方案中所述的圆形探头的材质是铜。

本实用新型的技术解决方案中所述的电阻测试仪为方块电阻四探针测试仪。

本实用新型的技术解决方案中还包括厚度测试仪。

本实用新型的技术解决方案中所述的厚度测试仪为粗糙度轮廓测试仪。

本实用新型由于在现有电阻测试仪的基础上,采用圆头形状的探头代替原来的锥型尖头探针,因而用于半导体晶片表面金属镀膜电阻检测时,调整使探头与半导体晶片表面金属镀膜紧密接触,圆头形状的探头不会刺破或穿透半导体晶片表面金属镀膜,能准确测出半导体晶片表面金属镀膜的电阻,而又不会损伤半导体晶片表面金属镀膜。当通过厚度测试仪检测出半导体晶片表面金属镀膜的厚度后,即可能得到半导体晶片表面镀膜的电阻率和电导率。

本实用新型具有能够准确测出半导体晶片表面金属镀膜电阻、结构简单和操作方便的特点。本实用新型主要用于检测半导体晶片表面金属镀膜的电阻、电阻率和电导率。

附图说明

图1是本实用新型的构造示意图。

图2是常用四探针测试仪示意图。

图中:1. 衬底;2. 铝层;3. 圆形探头;4. 四探针。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型进行完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。任何基于本实用新型的实用例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

如图1、图2所示。本实用新型一种半导体晶片表面镀膜电阻检测装置的一个实施例,由电阻测试仪和厚度测试仪构成,其中,电阻测试仪包括圆形探头3。

电阻测试仪采用方块电阻四探针测试仪。方块电阻四探针测试仪除四探针4外,均与现有技术中的相同。

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