[实用新型]电子器件有效
| 申请号： | 202220851931.2 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN218274605U | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | M·诺恩盖拉德;T·欧埃克斯 | 申请（专利权）人： | 埃克斯甘公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例总体上涉及电子器件。本公开涉及一种器件，该器件包括两个高电子迁移率晶体管(称为第一晶体管和第二晶体管)的堆叠，这两个高电子迁移率晶体管由绝缘层隔开并且各自设置有半导体层的堆叠(分别称为第一堆叠和第二堆叠)，从绝缘层分别到第一表面和第二表面，第一堆叠和第二堆叠各自包括阻挡层和沟道层，第一晶体管和第二晶体管分别包括第一组电极和第二组电极，第一组电极和第二组电极各自包括被布置为使得第一晶体管和第二晶体管头对尾地电连接的源极电极、漏极电极和栅极电极。本实用新型的实施例提供了例如关于实现两个高电子迁移率晶体管的更好集成的改进。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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