[实用新型]电子器件

说明书

本公开的各实施例总体上涉及电子器件。本公开涉及一种器件，该器件包括两个高电子迁移率晶体管(称为第一晶体管和第二晶体管)的堆叠，这两个高电子迁移率晶体管由绝缘层隔开并且各自设置有半导体层的堆叠(分别称为第一堆叠和第二堆叠)，从绝缘层分别到第一表面和第二表面，第一堆叠和第二堆叠各自包括阻挡层和沟道层，第一晶体管和第二晶体管分别包括第一组电极和第二组电极，第一组电极和第二组电极各自包括被布置为使得第一晶体管和第二晶体管头对尾地电连接的源极电极、漏极电极和栅极电极。本实用新型的实施例提供了例如关于实现两个高电子迁移率晶体管的更好集成的改进。

技术领域

本公开涉及电子领域，并且涉及电力电子的一些实现。在一些实现中，本公开涉及设置有两个高电子迁移率晶体管的器件。

背景技术

本领域技术人员熟知的高电子迁移率晶体管(“HEMT”)现在广泛应用于超频领域和用于电力电子转换器的开关领域。

在这点上，HEMT晶体管通常由III-V半导体材料层制成，并且在一些实现中由III-N半导体材料制成。

在一些实现中。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种设置有两个高电子迁移率晶体管的器件。

根据本公开的一个或多个方面，提供了一种电子器件，其包括：第一高电子迁移率HEMT晶体管，第一HEMT高电子迁移率晶体管包括在绝缘层的第一表面上的第一半导体层堆叠，从绝缘层的第一表面开始，第一半导体层堆叠包括第一阻挡层和第一沟道层，并且第一HEMT高电子迁移率晶体管包括第一源极电极、第一漏极电极和第一栅极电极；以及第二HEMT高电子迁移率晶体管，第二HEMT高电子迁移率晶体管包括在绝缘层的、与第一表面相对的第二表面上的第二半导体层堆叠，从绝缘层的第二表面开始，第二半导体层堆叠包括：第二阻挡层和第二沟道层，并且第二HEMT高电子迁移率晶体管包括第二源极电极、第二漏极电极和第二栅极电极，第二源极电极耦合到第一漏极电极，并且第二漏极电极耦合到第一源极电极。

在一个或多个实施例中，电子器件还包括第一端子和第二端子，第一端子与第一漏极电极或第二源极电极中的一项接触，并且第二端子与第二漏极电极或第一源极电极中的一项接触。

在一个或多个实施例中，第一端子包括在第一沟道层上的第一焊盘，并且第二端子包括在第二沟道层上的第二焊盘。

在一个或多个实施例中，第一栅极电极和第二栅极电极被配置为分别控制第一HEMT高电子迁移率晶体管和第二HEMT高电子迁移率晶体管在导通状态与非导通状态之间的切换。

在一个或多个实施例中，第一沟道层能够形成第一传导层，电流通过第一传导层从第一端子流到第二端子。

在一个或多个实施例中，第二沟道层能够形成第二传导层，电流通过第二传导层从第二端子流到第一端子。

在一个或多个实施例中，第一漏极电极直接耦合到第二源极电极，并且第一源极电极直接耦合到第二漏极电极。

在一个或多个实施例中，第一源极电极和第二漏极电极是同一导电结构，并且第一漏极电极和第二源极电极是同一导电结构。

在一个或多个实施例中，电子器件还包括耦合在第一源极电极与第二漏极电极之间的第一二极管、以及耦合在第一漏极电极与第二源极电极之间的第二二极管。

在一个或多个实施例中，第一二极管和第二二极管分别位于第一半导体层堆叠和第二半导体层堆叠中。

在一个或多个实施例中，绝缘层包括二氧化硅或氮化硅中的一种或多种。

在一个或多个实施例中，电子器件还包括第一栅极焊盘和第二栅极焊盘，分别布置在电子器件的与第一沟道层相邻的第一侧上和电子器件的与第二沟道层相邻的第二侧上，第一栅极焊盘与第一栅极电极接触并且第二栅极焊盘与第二栅极电极接触。