[实用新型]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，其特征在于，包括：

第一高电子迁移率晶体管，所述第一高电子迁移率晶体管包括在绝缘层的第一表面上的第一半导体层堆叠，从所述绝缘层的所述第一表面开始，所述第一半导体层堆叠包括第一阻挡层和第一沟道层，并且所述第一高电子迁移率晶体管包括第一源极电极、第一漏极电极和第一栅极电极；以及

第二高电子迁移率晶体管，所述第二高电子迁移率晶体管包括在所述绝缘层的、与所述第一表面相对的第二表面上的第二半导体层堆叠，从所述绝缘层的所述第二表面开始，所述第二半导体层堆叠包括：第二阻挡层和第二沟道层，并且所述第二高电子迁移率晶体管包括第二源极电极、第二漏极电极和第二栅极电极，所述第二源极电极耦合到所述第一漏极电极，并且所述第二漏极电极耦合到所述第一源极电极。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括第一端子和第二端子，所述第一端子与所述第一漏极电极或所述第二源极电极中的一项接触，并且所述第二端子与所述第二漏极电极或所述第一源极电极中的一项接触。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一端子包括在所述第一沟道层上的第一焊盘，并且所述第二端子包括在所述第二沟道层上的第二焊盘。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一栅极电极和所述第二栅极电极被配置为分别控制所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管在导通状态与非导通状态之间的切换。

5.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第一沟道层能够形成第一传导层，电流通过所述第一传导层从所述第一端子流到所述第二端子。

6.根据权利要求2所述的电子器件，其特征在于，所述第二沟道层能够形成第二传导层，电流通过所述第二传导层从所述第二端子流到所述第一端子。

7.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一漏极电极直接耦合到所述第二源极电极，并且所述第一源极电极直接耦合到所述第二漏极电极。

8.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一源极电极和所述第二漏极电极是同一导电结构，并且所述第一漏极电极和所述第二源极电极是同一导电结构。

9.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括耦合在所述第一源极电极与所述第二漏极电极之间的第一二极管、以及耦合在所述第一漏极电极与所述第二源极电极之间的第二二极管。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管分别位于所述第一半导体层堆叠和所述第二半导体层堆叠中。

11.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，还包括第一栅极焊盘和第二栅极焊盘，分别布置在所述电子器件的与所述第一沟道层相邻的第一侧上和所述电子器件的与所述第二沟道层相邻的第二侧上，所述第一栅极焊盘与所述第一栅极电极接触并且所述第二栅极焊盘与所述第二栅极电极接触。

12.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一半导体层堆叠和所述第二半导体层堆叠彼此镜像。

13.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，所述第一高电子迁移率晶体管和所述第二高电子迁移率晶体管具有相同的阈值电压。

14.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，在操作中，所述第一漏极电极和所述第二源极电极处于相同电位，并且所述第一源极电极和所述第二漏极电极处于相同电位。