[实用新型]半导体工艺炉及半导体工艺设备有效
申请号: | 202220702861.4 | 申请日: | 2022-03-29 |
公开(公告)号: | CN217214638U | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 李佳乐;李建国 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/228 | 分类号: | H01L21/228;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种半导体工艺炉及半导体工艺设备,半导体工艺炉包括炉管,炉管设置有炉口和炉尾,半导体工艺炉还包括进气部件,进气部件包括主进气管和环状匀气管,其中:主进气管自炉尾穿入至炉管内,并朝炉口的方向延伸,主进气管的出气端靠近炉口朝向炉管内部的一侧设置;环状匀气管设置在炉管内部,主进气管的出气端与环状匀气管连通;环状匀气管的轴线与炉管的轴线平行设置,环状匀气管上开设有多个出气孔,多个出气孔沿环状匀气管的周向均匀间隔设置,用于向炉管内输送工艺气体。本实用新型提供的半导体工艺炉及半导体工艺设备,能够提高晶片的方阻的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺 工艺设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202220702861.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种基础工程砖胎模绿色快速施工用砖块夹具
- 下一篇:一种绿化地面井盖
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造