[实用新型]复合SiC外延片以及半导体器件有效
| 申请号： | 202220387555.6 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN216773256U | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨冰;袁俊 | 申请（专利权）人： | 湖北九峰山实验室 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种复合SiC外延片以及半导体器件，所述复合SiC外延片包括：基于预设半导体衬底形成的第一SiC层，所述第一SiC层为多晶SiC外延层；键合在所述第一SiC外延层表面上的第二SiC层，所述第二SiC层为单晶SiC薄片。本申请技术方案提供了一种复合式SiC外延片，在多晶SiC外延层上键合单晶SiC薄片，通过对高质量单晶SiC薄片的有效利用，达到降低材料成本，提高产出质量，提升供应安全性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 sic 外延 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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