[实用新型]一种提高发光效率的LED芯片有效
| 申请号： | 202220236484.X | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN216849974U | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴烈飞 | 申请（专利权）人： | 安徽格恩半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 237161 安徽省六安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及LED芯片的技术领域，特别是涉及一种提高发光效率的LED芯片，其显著提高LED芯片的ESD性能、延长使用寿命,包括自下向上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层自顶部向所述发光层内部设置坑状结构，所述坑状结构设置多个，坑状结构的表面覆盖绝缘层，所述P型半导体层的上侧及所述绝缘层的上部设置导电层，导电层上设置p型电极，所述N型半导体层上设置n型电极；坑状结构空穴可以有效地注入至侧壁量子阱有源层中，进而可以改善空穴初始浓度低的问题，有利于电子和空穴的辐射复合；绝缘层通过阻断坑状结构的电流通道，可有效阻挡漏电中心对电子的输送作用，避免了该区域被击穿的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发光 效率 led 芯片 | ||
【主权项】：
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